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IBM 抢先发表2 纳米技术,台积电还是晶圆制造领

来源:现代制造技术与装备 【在线投稿】 栏目:综合新闻 时间:2021-05-12

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【摘要】近日IBM 抢先台积电发表2 纳米晶片制造技术,在半导体产业投下震撼弹。IBM 的2 纳米晶片采用GAA 架构,相较于台积电3 奈米仍采用的FinFET 架构,GAA 架构的效能更高,耗能更低,台积电

近日IBM 抢先台积电发表2 纳米晶片制造技术,在半导体产业投下震撼弹。IBM 的2 纳米晶片采用GAA 架构,相较于台积电3 奈米仍采用的FinFET 架构,GAA 架构的效能更高,耗能更低,台积电的晶圆制造霸主地位会动摇吗?

IBM 发表号称全球首创的2 纳米晶片制造技术,IBM 验证了GAA 新结构的可行性,将可加速GAA 量产,是半导体业的大事。这可能增加台积电的竞争压力,不过晶圆代工霸主的地位应不会动摇。

IBM 验证GAA 架构可行性,可能加速台积电与三星的研发

国际商业机器公司(IBM)表示,2 纳米技术可让晶片速度比当今主流的7 纳米晶片提升45%,能源效率也将有效提升。

尽管2 纳米晶片制造技术可能还要花上数年才能投入市场,不过,相较台积电2 纳米在去年经过初步研究及路径寻找后,目前进入制程技术研发阶段,IBM 抢先发表2 奈米晶片制造技术备受各界关注。

IBM 这次发表的2纳米晶片制造技术是采用全新的环绕闸极(GAA)架构,验证了GAA 的可行性,将可加速GAA 的量产及商品化时程。

三星去年宣布将在3 纳米抢先导入GAA 架构,IBM 与三星合作多年,IBM 在GAA 架构发展获重大突破,能否有助三星3 纳米制程发展,值得观察。

相较于现有的FinFET 架构,GAA 的性能更进步

台积电3 纳米制程仍将持续采用鳍式场效电晶体(FinFET)架构,预计2 纳米改采GAA 架构,随着IBM 验证了GAA 的可行性,预料台积电也将加速2纳米制程开发与量产进度。

GAA 架构较FinFET 架构不仅性能可以提升,耗能问题也可以改善,适用于笔记型电脑与服务器等产品市场。

IBM 验证GAA 架构,有望带动生态系厂商发展

只是新架构不仅要有设计工具、矽智财(IP)等生态系搭配,量产良率、成本与客户接受度也都是挑战,由于台积电预计2纳米制程才会采用GAA 架构,使得相关生态系厂商投入意愿有限。

随着IBM 成功验证GAA 架构的可行性,三星与台积电可能加速发展GAA 架构,料将带动生态系厂商加速发展,进而推动GAA 架构的量产与商品化,对半导体产业是一件大事。

这可能使得台积电竞争压力增加,不过,台积电具有多元客户,将有助缩短学习曲线、快速提升良率及降低成本,且其坚持不与客户竞争是长期来赢得客户信任的关键,晶圆代工霸主地位应不会动摇。

#科技日报#

文章来源:《现代制造技术与装备》 网址: http://www.xdzzjsyzb.cn/zonghexinwen/2021/0512/868.html

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